[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板在审
| 申请号： | 202110340221.3 | 申请日： | 2021-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN113097289A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 刘家昌;袁鑫;曹曙光;范文志 | 申请（专利权）人： | 合肥维信诺科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/12;H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人： | 范坤坤 |
| 地址： | 230000 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板，薄膜晶体管，包括：衬底；半导体层，位于衬底的一侧；氢元素供给层，氢元素供给层位于半导体层靠近或远离衬底的一侧；氢元素供给层中含有氢；阻挡层，阻挡层位于氢元素供给层和半导体层之间；其中阻挡层包括阻挡区和至少两个非阻挡区，阻挡区的氢元素透过率低于非阻挡区的氢元素透过率；其中，氢元素供给层用于通过非阻挡区向半导体层提供氢元素，以使半导体层对应于非阻挡区的位置导体化。本发明实施例提供的技术方案，减少了对半导体的源区和漏区导体化时沟道区域导体化，使得有效沟道长度不会受到影响，进而满足TFT器件要求，提高TFT沟道长度在阵列基板上分布的均一性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥维信诺科技有限公司，未经合肥维信诺科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110340221.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
