[发明专利]三维集成电路封装件及其形成方法在审
| 申请号： | 202110340768.3 | 申请日： | 2021-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN113178433A | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 黄博祥;张丰愿;王翠屏;朱怡欣 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/66;H01L23/48;H01L25/18;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供3D IC封装件及其形成方法。该3D IC封装件包括：第一IC管芯，包括位于第一IC管芯的背侧处的第一衬底；第二IC管芯，堆叠在第一IC管芯的背侧处并且面向第一衬底；TSV，穿过第一衬底并且电连接第一IC管芯和第二IC管芯，该TSV具有TSV单元，该TSV单元包括围绕TSV的TSV单元边界；以及保护模块，在第一衬底中制造，其中，保护模块电连接至TSV，并且保护模块位于TSV单元内。 | ||
| 搜索关键词： | 三维集成电路 封装 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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