[发明专利]一种NbMoTaWAl难熔高熵合金薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202110344020.0 | 申请日： | 2021-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN113151795A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 杨冲;李彤;王亚强;刘刚;孙军 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/54;C23C14/16;C22C30/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 范巍 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种NbMoTaWAl难熔高熵合金薄膜及其制备方法，Al的原子百分数为2.4‑19.4at.％，其余为等原子比的NbMoTaW。在单面抛光的单晶硅基体上采用磁控溅射共溅射的方法制备NbMoTaWAl难熔高熵合金薄膜，其中NbMoTaW合金靶采用直流电源，Al靶采用射频电源；本发明通过控制沉积功率来调整NbMoTaWAl高熵合金薄膜中Al的含量，不易造成靶材元素的团聚和反溅射现象，使微观组织均匀。沉积结束后基体在高真空镀膜室充分冷却得到NbMoTaWAl难熔高熵合金薄膜，所得薄膜成分均匀，组织致密；Al的适当加入可以有效提高NbMoTaW高熵合金薄膜的力学性能和抗氧化性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nbmotawal 难熔高熵 合金 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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