[发明专利]一种具有应变预置层结构的近红外LED及其制作方法有效
| 申请号： | 202110344031.9 | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN112736172B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 熊欢;林晓珊;徐培强;潘彬;王向武 | 申请（专利权）人： | 南昌凯捷半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/06;H01L33/30;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南昌金轩知识产权代理有限公司 36129 | 代理人： | 孙文伟 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市临*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有应变预置层结构的近红外LED及其制作方法，该近红外LED的外延片从衬底由下往上依次生长有N‑GaAs缓冲层、N‑GaInP腐蚀截止层、N‑GaAs接触层、N‑GaInP电极强化层、N‑AlxGa1‑xAs电流扩展层、N‑AlxGa1‑xAs限制层、N‑GaxIn1‑xP应变预置层、第一AlxGa1‑xAs Space层、有源层、第二AlxGa1‑xAs Space层、P‑AlxGa1‑xAs限制层、P‑AlxGa1‑xAs电流扩展层、P‑过渡层和P‑GaP接触层。本发明通过在传统结构中的N‑AlxGa1‑xAs限制层和第一AlxGa1‑xAs Space层之间插入一层N‑GaxIn1‑xP应变预置层，将第一AlxGa1‑xAs Space层的应变状态调为张应变，进而在一定程度上平衡InGaAs量子阱的压应变，抑制位错和裂纹的产生，提高了有源区的晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 应变 预置 结构 红外 led 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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