[发明专利]一种平面型的阻变存储器及其制备方法在审
申请号: | 202110347035.2 | 申请日: | 2021-03-31 |
公开(公告)号: | CN113193112A | 公开(公告)日: | 2021-07-30 |
发明(设计)人: | 韩素婷;吕子玉;周晔;邢雪朝;王燕;翟永彪 | 申请(专利权)人: | 深圳大学 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00;B82Y40/00;B82Y10/00 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 刘芙蓉 |
地址: | 518061 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开一种平面型的阻变存储器及其制备方法。所述平面型的阻变存储器包括:衬底、位于所述衬底两端的第一电极和第二电极、及位于所述第一电极和第二电极之间的介质层,所述介质层为一维纳米材料或一维微米材料。本发明利用低维度的纳米材料或微米材料,且纳米材料或微米材料本身的晶型也有利于构筑易于离子迁移的介质层,从而可以构筑低维度的、易于离子迁移的通路,实现导电细丝的限域生长,进而提高器件的一致性。另外,本发明器件制备工艺简单,制备成本低。 | ||
搜索关键词: | 一种 平面 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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