[发明专利]浮栅型分栅闪存器件结构及其制作工艺

摘要

本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种浮栅型分栅闪存器件结构及其制作工艺。其中结构包括：衬底层，和生长在衬底层上的栅极结构；位于栅极结构两侧的衬底层中形成有源漏区；栅极结构包括相间隔的第一分栅结构和第二分栅结构；第一分栅结构和第二分栅结构均包括由下至上依次层叠的浮栅结构和控制栅结构；第一分栅结构和第二分栅结构之间间隔有选择栅结构；控制栅结构包括P型掺杂控制栅多晶硅层。其中工艺用于形成上述浮栅型分栅闪存器件结构。本申请提供的结构及其制作工艺可以解决相关技术中为了适应器件微缩，降低器件漏电，而增加第一P型区的离子注入剂量，从而导致器件的结击穿电压降低的问题。