[发明专利]高效率绝缘隔离SiCMOSFET栅驱动电路有效
| 申请号： | 202110349739.3 | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113067564B | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 周德金;徐宏;陈珍海;黄伟;马君健 | 申请（专利权）人： | 无锡英诺赛思科技有限公司;清华大学无锡应用技术研究院 |
| 主分类号： | H03K17/08 | 分类号： | H03K17/08 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 韩凤 |
| 地址： | 214100 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高效率绝缘隔离SiC MOSFET栅驱动电路，该电路包括：高精度输入信号接收电路、数字控制电路、调制发送电路、隔离电路、高共模瞬态抑制差分信号接收电路、高效率输出驱动电路、发送端低压产生电路、接收端低压产生电路和芯片状态监测电路。本发明所提供的高效率绝缘隔离SiC MOSFET栅驱动电路，首先，采用高压电容绝缘隔离技术，可实现高耐压的前提下，提高信号处理速度；其次，可以根据负载大小和输入控制脉冲的频率自适应调整驱动电流，从而最大程度上提高驱动电路的电源效率；另外，采用高精度输入信号接收电路，提高信号输入可靠性。本发明可以广泛应用于驱动各类高压SiC MOSFET和IGBT器件。 | ||
| 搜索关键词： | 高效率 绝缘 隔离 sicmosfet 驱动 电路 | ||
【主权项】：
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