[发明专利]半导体结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202110350105.X | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113097148B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 崔兆培;朱柄宇 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构的制备方法，包括：提供衬底；于衬底的上表面形成位线阵列，位线阵列包括若干条间隔排布的位线，且位线之间通过支撑图形相连接，支撑图形沿位线排布的方向贯穿位线阵列；于位线的侧壁形成位线侧墙，位线侧墙包括由内至外依次叠置的第一侧墙介质层、牺牲层及第二侧墙介质层，位线侧墙与位线构成位线结构；去除部分支撑图形以暴露牺牲层；去除牺牲层，以于第一侧墙介质层及第二侧墙介质层之间形成空气间隙。本发明提供的半导体结构的制备方法，通过在导电材料间形成空气间隙(Air Gap)，空气间隙的形成能够进一步减少介电常数，从而减少位线结构之间的寄生电容，提高半导体器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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