[发明专利]一种基于CMOS实现的Ka频段低噪声放大器有效
| 申请号： | 202110350194.8 | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113067554B | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 赵毅强;耿俊峰;叶茂;李尧 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 | 代理人： | 韩新城 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于CMOS实现的Ka频段低噪声放大器，由补偿型场效应晶体管M2组成的放大级；电感L1、电感L2以及电感L3通过电磁耦合形成的无源器件变压器P1组成的匹配级；电流源Ibias和晶体管M0组成的给共源晶体管M1提供栅极电压的电流偏置级以及由二极管D0、二极管D1与二极管D2组成静电保护级构成；静电保护级用于提供正向和负向的电荷泄放通路。本发明在实现射频信号放大的同时，通过内嵌静电防护电路，避免大的寄生电容对射频性能的影响，易于降低成本，实现大规模量产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 cmos 实现 ka 频段 低噪声放大器 | ||
【主权项】：
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