[发明专利]一种抑制介质材料二次电子发射系数的方法在审
| 申请号： | 202110350644.3 | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113072393A | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 向锋;洪小飞;顾腾;刘潇帅;董亦鹏 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C04B41/80 | 分类号： | C04B41/80;C04B35/10;C04B35/462;C04B35/465;C04B35/50;G01N23/2202;G01N23/2251;G01N27/04;G01N27/22 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 王艾华 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种抑制介质材料二次电子发射系数的方法，该方法选用陶瓷样品及聚合物样品作为研究对象，利用γ射线对样品进行辐照处理。经实验证实，随着辐照剂量的增大，介质材料的电阻率降低，二次电子发射系数的最大值也随之降低，从一定程度上抑制介质材料的二次电子发射系数。相比于表面腐蚀、光刻以及化学方法等工艺来降低二次电子发射系数，通过辐照来抑制介质材料二次电子发射系数的方法更具有普适性，工艺简单，成本小，操作简便等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抑制 介质 材料 二次电子 发射 系数 方法 | ||
【主权项】：
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