[发明专利]二维钙钛矿单晶及其基于离子注入的探测器的制备方法有效
申请号: | 202110350953.0 | 申请日: | 2021-03-31 |
公开(公告)号: | CN113299837B | 公开(公告)日: | 2022-10-21 |
发明(设计)人: | 冯宏剑;钱崇鑫;王明梓;芦珊珊 | 申请(专利权)人: | 西北大学 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/42;H01L51/46;C30B7/08;C30B7/14;C30B29/54;C09K11/06;C09K11/66 |
代理公司: | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人: | 宁文涛 |
地址: | 710048 陕西省西安*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了二维钙钛矿单晶及其基于离子注入的探测器的制备方法,通过对二维钙钛矿前驱体溶液密封保温加热的方式,得到前驱体的完全饱和溶液,将转移置于恒温炉的完全饱和溶液保温后再加热,是保证晶体生长初始温度低于前驱体溶液的温度,并能够使单晶保持持续稳定的速率析出。较低的降温速率能保证晶体的成型质量,并得到尺寸较大的晶体。通过对该晶体的高能离子注入得到稳定性高,优异光探测率、载流子迁移寿命积较大,响应度高的钙钛矿探测器,平面型的叉指金电极使得X射线探测的结构简单,制备工艺流程短,成本低;基于离子注入的掺杂技术,增加钙钛矿单晶本征载流子浓度,实现更深处电子空穴直接快速导出。 | ||
搜索关键词: | 二维 钙钛矿单晶 及其 基于 离子 注入 探测器 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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