[发明专利]一种SRAM电磁抗扰度的片上测量方法和系统有效
| 申请号： | 202110351358.9 | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113113073B | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 粟涛;徐小清;张志文 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | G11C29/12 | 分类号： | G11C29/12;G11C29/56;G11C29/50 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 林丽明 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SRAM电磁抗扰度的片上测量方法和系统，利用电磁干扰检测模块的信号的周期性不受封装影响的特点，将内部电源Pad的干扰幅度转换成周期性的信号，通过检测该信号的频率就可以表征电源电压干扰幅度ARFI。并且通过功能测试模块就可以产生SRAM读、写操作的测试向量，并且判断SRAM受扰的失效情况。主要还会提供一个反馈信号，控制环形振荡器的开关状态，降低环形振荡器的功耗，将SRAM不同工作状态读或者写分开进行抗扰度测试，互不影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sram 电磁 抗扰度 测量方法 系统 | ||
【主权项】：
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