[发明专利]一种碳点/铋膜修饰玻碳电极的制备及检测镉和铅离子的方法有效
申请号: | 202110352981.6 | 申请日: | 2021-03-31 |
公开(公告)号: | CN113030210B | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
发明(设计)人: | 裴元生;张浩 | 申请(专利权)人: | 北京师范大学 |
主分类号: | G01N27/30 | 分类号: | G01N27/30;G01N27/48 |
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地址: | 100875 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: |
本发明公开了一种碳点/铋膜修饰玻碳电极的制备方法,其特征在于,使用硫酸辅助水热碳化葡萄糖合成了石墨化碳点;制得的碳点溶液经稀释后采用循环伏安沉积法逐步还原在玻碳电极表面,再将配制好的Nafion溶液滴加在电极表面形成固定膜,干燥后得到碳点修饰的玻碳电极;最后将碳点修饰的玻碳电极置于含有Bi |
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搜索关键词: | 一种 修饰 电极 制备 检测 离子 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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