[发明专利]铜电镀方法在审
| 申请号： | 202110354858.8 | 申请日： | 2021-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN113113352A | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 杨钰;赵正元;李虎 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种铜电镀方法，包括提供衬底，所述衬底上依次形成有层间介质层和硬掩模层，所述硬掩模层和所述层间介质层内形成有沟槽；刻蚀部分厚度的所述硬掩模层以增大所述沟槽的顶部宽度；以及，进行电化学镀工艺，在所述沟槽内形成铜互连层。本发明通过刻蚀部分硬掩模层以增大沟槽的顶部宽度，扩大后续电化学镀工艺的工艺窗口，从而减少甚至避免铜电镀填充时产生空洞。此外，所述铜电镀方法还可以缓解干法刻蚀造成的翘曲效应。 | ||
| 搜索关键词： | 电镀 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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