[发明专利]一种浮空p柱的槽栅超结IGBT有效
| 申请号： | 202110355018.3 | 申请日： | 2021-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN112928155B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 马瑶;黄铭敏;杨治美 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610065 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种超结IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管）器件，其耐压层中的第二导电类型的半导体区浮空并且其槽型栅极结构的底部被重掺杂的第二导电类型的半导体区包围，其具有低导通压降，并且槽型栅极结构底部的重掺杂的第二导电类型的半导体区能显著降低空穴流经槽型栅极结构底部时的碰撞电离，避免击穿电压的降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 槽栅超结 igbt | ||
【主权项】：
暂无信息
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