[发明专利]屏蔽栅沟槽场效应晶体管结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202110358023.X | 申请日： | 2021-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN113299753A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 郭亮良 | 申请（专利权）人： | 瑶芯微电子科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 贺妮妮 |
| 地址： | 201207 上海市浦东新区中国（上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明提供一种屏蔽栅沟槽场效应晶体管结构及其制备方法，通过将第一深沟槽及第二深沟槽设置为在不同的深沟槽中且以相间隔的方式排布，避免了晶体管存在不同步开启和关断状态的问题，另使多个阻值相同的电阻R |
||
| 搜索关键词： | 屏蔽 沟槽 场效应 晶体管 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑶芯微电子科技（上海）有限公司，未经瑶芯微电子科技（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110358023.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种黄棕酯化液的测定方法
- 下一篇：一种网络连接方法，网络节点设备以及装置
- 同类专利
- 专利分类
