[发明专利]双介质调制靶及其制备方法有效
| 申请号： | 202110358490.2 | 申请日： | 2021-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN113096833B | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 吴小军;童维超;徐嘉靖;何智兵;尹强;苏琳;李娃;朱方华;张伟;张超;汤楷 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 |
| 主分类号： | G21B1/19 | 分类号： | G21B1/19;G21B1/11 |
| 代理公司： | 石家庄领皓专利代理有限公司 13130 | 代理人： | 何鑫鑫 |
| 地址： | 621000*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供能够适用于要求仅含有碳和氢两种元素的实验的需求、调制界面结合紧密且调制图形清晰的双介质调制靶及其制备方法。双介质调制靶包括层叠设置的第一介质调制层和第二介质调制层，第一介质调制层由第一介质形成，第二介质调制层由第二介质形成，第一介质和第二介质均仅含有碳和氢两种元素，第一介质调制层的密度与第二介质调制层的密度的比为5:1‑15:1，并且在位于第一介质调制层与第二介质调制层之间的界面处，形成有调制图形。 | ||
| 搜索关键词： | 介质 调制 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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