[发明专利]一种IBIS模型中I/V曲线的测量方法在审
| 申请号： | 202110360762.2 | 申请日： | 2021-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN113049947A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 刘洋;朱磊磊;孙肖杨;李懂懂;秦民雷;宋艳杰 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 程晓霞;王品华 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种IBIS模型中I/V曲线的测量方法，解决了无IBIS模型或模型不准时获取芯片IBIS模型曲线数据的问题。实现包括：利用可调电压源设芯片工作状态；设置数字源表扫描电压获得测试芯片原始I/V曲线数据；数据修正后获得符合IBIS规范的I/V曲线数据。本发明根据芯片特性设计获取上拉和下拉I/V曲线数据，直接对芯片测量获取原始电源钳位、地钳位、上拉和下拉I/V曲线数据，对曲线数据的修正，提高了IBIS模型的准确度。本发明测量步骤简便，易操作，测得的数据准确，IBIS模型生成速度快，准确度高。适用于高速电路仿真分析中创建IBIS模型。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ibis 模型 曲线 测量方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学，未经西安电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110360762.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
