[发明专利]一种应用于高分辨中子成像探测器的GOS:Tb透明陶瓷闪烁屏及其制备方法有效
| 申请号： | 202110362203.5 | 申请日： | 2021-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN113340925B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 李江;周健荣;孙志嘉;潘宏明;丁继扬;陈昊鸿;谢腾飞;陈元柏;蒋兴奋;周晓娟;夏远光;杨文钦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所;散裂中子源科学中心;中国科学院高能物理研究所 |
| 主分类号： | G01N23/05 | 分类号： | G01N23/05;C04B35/50;C04B35/622;C04B35/626;C04B35/645 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 郭燕 |
| 地址： | 200000 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种应用于高分辨中子成像探测器的GOS:Tb透明陶瓷闪烁屏及其制备方法。该GOS:Tb透明陶瓷闪烁屏包括：基底、反射层薄膜以及厚度为微米级别的GOS:Tb透明陶瓷。本申请通过将GOS:Tb透明陶瓷封装在镀有反射层薄膜的刚性基底上，制得所述GOS:Tb透明陶瓷闪烁屏。该GOS:Tb透明陶瓷闪烁屏具有厚度薄、透明度高、形成闪烁体光斑小的特点，将其应用在中子成像探测器时，能在保证高分辨的前提下有效提高光产额，进而提高中子成像的空间分辨率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 分辨 中子 成像 探测器 gos tb 透明 陶瓷 闪烁 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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