[发明专利]一种碳化硅晶体制备方法有效
| 申请号： | 202110364841.0 | 申请日： | 2021-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN113089085B | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 王宇;杨田;梁振兴 | 申请（专利权）人： | 眉山博雅新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36;G01J5/00 |
| 代理公司： | 成都七星天知识产权代理有限公司 51253 | 代理人： | 严芳芳 |
| 地址： | 620010 四川省眉*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本说明书提供一种碳化硅晶体制备方法，该方法包括：将碳化硅籽晶置于生长腔体顶部；将加热组件中的加热单元安装在生长腔体内部，将至少部分源材料置于至少部分加热单元上表面，其中，加热单元包括至少一个流通通道，至少一个流通通道贯穿加热单元；在生长腔体内生长碳化硅晶体，碳化硅晶体生长时生长腔体内的径向温差不超过碳化硅晶体生长温度的第一预设范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 晶体 制备 方法 | ||
【主权项】：
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