[发明专利]一种新型非铅基钙钛矿薄膜的制备方法及其应用有效
| 申请号： | 202110367172.2 | 申请日： | 2021-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN113192843B | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 刘明侦;周军;王铭;李发明 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/363 | 分类号： | H01L21/363;H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种新型非铅基钙钛矿太阳能电池器件的制备方法，属于太阳能电池领域。本发明采用分步气相沉积的方式制备了无毒的钙钛矿太阳能薄膜吸收层，选用光敏性较弱的AgCl材料制备钙钛矿薄膜，最终首次成功制备了Ag |
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| 搜索关键词： | 一种 新型 非铅基钙钛矿 薄膜 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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