[发明专利]一种溴化钾掺杂的钙钛矿薄膜的制备方法及其应用有效
| 申请号： | 202110367174.1 | 申请日： | 2021-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN113193120B | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 刘明侦;周军;王松;许志卫;严金梅;张建军;李发明 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;晶澳太阳能有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/46 | 分类号： | H01L51/46;H01L51/42;H01L51/48 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种溴化钾掺杂有机无机钙钛矿薄膜的制备方法及其应用，属于钙钛矿太阳能电池技术领域。本发明采用两步旋涂法制备钙钛矿薄膜，通过在旋涂前驱液中进行溴化钾的掺杂，从而提升薄膜的质量，进而提升钙钛矿器件的光电转化效率。本发明方法制备的钙钛矿太阳能电池其光电转换效率可达21.2％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 溴化钾 掺杂 钙钛矿 薄膜 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学;晶澳太阳能有限公司，未经电子科技大学;晶澳太阳能有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110367174.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种新型非铅基钙钛矿薄膜的制备方法及其应用
- 下一篇：摄像镜头
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
