[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置在审
| 申请号： | 202110369564.2 | 申请日： | 2021-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN112864254A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 贺家煜;宁策;李正亮;胡合合;黄杰;姚念琦;赵坤;李菲菲 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34;H01L29/10;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置，涉及显示技术领域。本发明通过依次在衬底上设置栅极、栅绝缘层和有源层，以及位于栅绝缘层上且覆盖部分有源层的源极和漏极，有源层的材料为氧化物半导体；薄膜晶体管还包括位于沟道区远离栅绝缘层一侧表面上的金属纳米颗粒层。通过在有源层的沟道区上方形成金属纳米颗粒层，提高沟道区的抗刻蚀能力，因此，后续在采用刻蚀液刻蚀源漏电极层薄膜以形成源极和漏极时，由于沟道区被金属纳米颗粒层覆盖，则刻蚀液不易与沟道区接触，使得沟道区不容易被刻蚀液所刻蚀，从而防止刻蚀液对沟道区的损伤，提高了薄膜晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制作方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
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