[发明专利]一种半导体用石英的氧化钇涂层的制备方法在审
申请号: | 202110369899.4 | 申请日: | 2021-04-07 |
公开(公告)号: | CN113122795A | 公开(公告)日: | 2021-07-16 |
发明(设计)人: | 严汪学;薛弘宇;桂传书 | 申请(专利权)人: | 江苏凯威特斯半导体科技有限公司 |
主分类号: | C23C4/134 | 分类号: | C23C4/134;C23C4/02;C23C4/11 |
代理公司: | 无锡苏元专利代理事务所(普通合伙) 32471 | 代理人: | 张姝 |
地址: | 214000 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种半导体用石英的氧化钇涂层的制备方法,包括以下步骤:S1、将石英零件非喷涂区域进行遮挡保护后进行喷砂;S2、将喷砂后的石英进行纯水超声波清洗,清洗后放入烘箱烘干;S3、烘干后喷涂氧化钇涂层;S4、喷涂后,将遮挡保护去掉,去掉毛刺,进行纯水超声清洗。本发明在石英表面喷涂氧化钇涂层,形成耐物理腐蚀的保护层,工作时涂层与蚀刻气体生成的氟化钇不易蒸发,不污染腔体环境,使用后的石英部件经药水浸泡,去除涂层和副产物,可重新进行喷砂喷涂工艺,大大增加零件的使用次数,提高了使用率,降低了生产成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 石英 氧化钇 涂层 制备 方法 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C4-00 熔融态覆层材料喷镀法,例如火焰喷镀法、等离子喷镀法或放电喷镀法的镀覆
C23C4-02 .待镀材料的预处理,例如为了在选定的表面区域镀覆
C23C4-04 .以镀覆材料为特征的
C23C4-12 .以喷镀方法为特征的
C23C4-18 .后处理
C23C4-14 ..用于长形材料的镀覆
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C4-00 熔融态覆层材料喷镀法,例如火焰喷镀法、等离子喷镀法或放电喷镀法的镀覆
C23C4-02 .待镀材料的预处理,例如为了在选定的表面区域镀覆
C23C4-04 .以镀覆材料为特征的
C23C4-12 .以喷镀方法为特征的
C23C4-18 .后处理
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