[发明专利]基于芴或茚并芴及噻吩端基大带隙受体材料、制备方法及应用在审
| 申请号： | 202110370912.8 | 申请日： | 2021-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN113173929A | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 白福锦;颜河 | 申请（专利权）人： | 香港科技大学深圳研究院 |
| 主分类号： | C07D495/04 | 分类号： | C07D495/04;C07D495/22;H01L51/42;H01L51/46 |
| 代理公司： | 深圳市惠邦知识产权代理事务所 44271 | 代理人： | 满群 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区高新科技*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明涉及基于芴或茚并芴及噻吩端基大带隙受体材料、制备方法及应用。所述受体材料，具有的化合物， |
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| 搜索关键词： | 基于 噻吩 端基大带隙 受体 材料 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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