[发明专利]基于工艺窗口的冗余局部环路插入方法有效
| 申请号： | 202110372285.1 | 申请日： | 2021-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN113097207B | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 屈通;韦亚一;粟雅娟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;G06N3/04;G06N3/08 |
| 代理公司： | 北京天达知识产权代理事务所(普通合伙) 11386 | 代理人： | 庞许倩 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于工艺窗口的冗余局部环路插入方法，解决了现有技术中缺乏对工艺窗口的考虑，难以满足可制造性要求的问题。该方法包括：输入原始版图，提取得到所有的通孔信息和所有可用的RLL插入方案；计算每一个所述RLL插入方案对应的工艺窗口和代价；利用每一个所述代价函数和每一个所述工艺窗口计算目标函数，根据所述目标函数得到最优的RLL插入方案；基于所述最优的RLL插入方案进行冗余局部环路插入，输出最终的版图，实现了基于工艺窗口的版图的可制造性。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 工艺 窗口 冗余 局部 环路 插入 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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