[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 202110372580.7 | 申请日： | 2021-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN113130630B | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | 昝颖;李永亮;赵飞;程晓红;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/16;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域，用于在半导体器件所包括的沟道材质含有锗的情况下，降低沟道的界面态，提高半导体器件的工作性能。所述半导体器件的制造方法包括：在衬底上形成半导体器件所包括的沟道。沟道的材质含有锗。对沟道进行原位交替循环的氧化处理和热处理，以降低沟道的表面粗糙度。在沟道的外周原位形成界面层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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