[发明专利]连接结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110373397.9 | 申请日： | 2021-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN113140542A | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 陈国儒;黄俊贤;刘书豪;陈亮吟;张惠政;杨育佳 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 朱亦林 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及连接结构及其形成方法。一种连接结构，包括：第一电介质层，其设置在衬底和导电特征之上；掺杂电介质层，其设置在第一电介质层之上；第一金属部分，其设置在第一电介质层中并与导电特征接触；以及掺杂金属部分，其设置在第一金属部分之上。第一金属部分和掺杂金属部分包括相同的贵金属材料。掺杂电介质层和掺杂金属部分包括相同的掺杂剂。 | ||
| 搜索关键词： | 连接 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110373397.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种基于蜂群仿真优化方法
- 下一篇：哑光内墙乳胶漆及其制备方法
