[发明专利]半导体结构及半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 202110373399.8 | 申请日： | 2021-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN113224058B | 公开（公告）日： | 2023-03-10 |
| 发明（设计）人： | 华文宇;余兴 | 申请（专利权）人： | 芯盟科技有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 314400 浙江省嘉兴市海宁市海*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，结构包括：衬底，衬底包括相对的第一面和第二面，衬底包括若干相互分立的有源区，若干有源区沿第一方向排列且平行于第二方向，第一方向与第二方向相互垂直；位于衬底内的若干第一凹槽，若干第一凹槽沿第二方向排列且沿第一方向贯穿有源区；位于第一凹槽内的字线栅极结构，字线栅极结构内包括与有源区邻接的第二侧区；位于第一凹槽内的第一隔离结构，第一隔离结构位于字线栅极结构与有源区之间且与字线栅极结构邻接，第一隔离结构还位于部分有源区内；位于各有源区的第一面上的若干位线结构，若干位线结构沿第一方向排列且平行于第二方向；位于各有源区的第二面上的若干电容结构。所述结构性能得到提升。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于芯盟科技有限公司，未经芯盟科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110373399.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
