[发明专利]硅片导电类型的判定方法在审
| 申请号： | 202110376796.0 | 申请日： | 2021-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN113125854A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 魏星;李名浩;刘赟;栗展;魏涛;刘文凯;戴荣旺;薛忠营 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G01R27/02 | 分类号： | G01R27/02;G01R31/28;G01R1/073 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 张敏 |
| 地址： | 201306 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种硅片导电类型的判定方法，包括：提供待测硅片，对所述待测硅片进行刻蚀处理；在所述刻蚀处理前后分别对所述待测硅片进行第一次电阻率测试和第二次电阻率测试，得到相应的第一电阻率和第二电阻率，通过对比所述第一电阻率和所述第二电阻率判断所述待测硅片的导电类型；或者，在所述刻蚀处理后测量所述待测硅片中不同深度的电阻率变化情况，根据所述待测硅片中不同深度的电阻率变化情况判断所述待测硅片的导电类型。本发明用于判断具有高电阻率的硅片的导电类型，且测试结果不受硅片的表面电荷的影响，操作简单，对设备的要求低，成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 导电 类型 判定 方法 | ||
【主权项】：
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