[发明专利]一种大尺寸化合物半导体单晶制备方法有效
| 申请号： | 202110376836.1 | 申请日： | 2021-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN113249778B | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 王书杰;孙聂枫;史艳磊;邵会民;徐森锋;付莉杰;王阳;李晓岚;欧欣;宋瑞良;刘惠生;孙同年 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | C30B15/02 | 分类号： | C30B15/02;C30B15/20;C30B15/10 |
| 代理公司： | 石家庄众志华清知识产权事务所(特殊普通合伙) 13123 | 代理人： | 聂旭中 |
| 地址： | 050000 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 一种大尺寸化合物半导体单晶制备方法，属于单晶制备领域，具体涉及晶体制备方法，特别涉及大尺寸尤其是超长长度化合物半导体单晶的制备方法，使用大尺寸单晶生长系统实现；大尺寸单晶生长系统包括晶体生长空间的控制装置和炉体内的原料注入装置。在原料合成和晶体生长过程中注入原料，并根据单晶的长度调节生长空间。由于存在多次缩颈处理，可以降低晶体本身的热应力，防止长得太长而断裂，同时大幅降低多次生长过程中缺陷的产生及原有缺陷的延伸；这种结构可以不受高压制备设备尺寸的限制。原料承载注入系统可以实现对承载注入系统的冷却，实现连续合成，或者间歇合成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 化合物 半导体 制备 方法 | ||
【主权项】：
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