[发明专利]一种低触发电压的SCR器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110378050.3 | 申请日： | 2021-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN113140627A | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 赵德益;蒋骞苑;吕海凤;严林;王达;彭阳;周凯 | 申请（专利权）人： | 上海维安半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/06;H01L27/02;H01L21/332 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 党蕾 |
| 地址： | 201323 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低触发电压的SCR器件及其制备方法，属于半导体保护器件领域，包括：于一衬底的表面形成外延层；于外延层中依次形成P型掺杂区、N型掺杂区、P型掺杂区和N型掺杂区；分别形成第一N型注入区、第二N型注入区、第三N型注入区、第一P型注入区、第二P型注入区、第四N型注入区、第三P型注入区、第五N型注入区和第四P型注入区，第二P型注入区与第一N型掺杂区、第二P型掺杂区耦接；于外延层中形成隔离结构；于外延层的表面沉积介质层，并分别形成对应每个注入区的接触孔；于接触孔中进行金属沉积，并形成金属连线。本技术方案的有益效果在于：具有较低的触发电压，较强的静电泄放能力、较高的稳定性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 触发 电压 scr 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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