[发明专利]用于沟槽场板功率MOSFET的终端在审
| 申请号： | 202110380127.0 | 申请日： | 2021-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN113540244A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 塔努杰·萨克塞纳;维什努·克姆卡;贝恩哈德·格罗特;覃甘明;莫安斯·齐图尼 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 纪雯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体装置包括衬底，所述衬底具有相对的第一主表面和第二主表面、有源区域以及终端区域。绝缘沟槽从所述第一主表面朝向所述第二主表面延伸，每一个所述绝缘沟槽包括导电场板和上覆于所述导电场板的栅极电极，所述栅极电极通过栅极‑场板绝缘体与所述场板分离。所述场板在所述有源区域和所述终端区域中均纵向延伸并且所述终端区域中不存在所述栅极电极。第一导电类型的主体区在所述绝缘沟槽对之间横向延伸。第二导电类型的第一间隔区和第二间隔区在所述终端区域处在所述绝缘沟槽的所述对之间横向延伸以在所述第一间隔区与所述第二间隔区之间产生所述第一导电类型的区段，所述区段与所述主体区隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 沟槽 功率 mosfet 终端 | ||
【主权项】：
暂无信息
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