[发明专利]反射型掩模坯料、其制造方法和反射型掩模在审
申请号: | 202110380334.6 | 申请日: | 2021-04-09 |
公开(公告)号: | CN113515006A | 公开(公告)日: | 2021-10-19 |
发明(设计)人: | 高坂卓郎;三村祥平;山本拓郎;稻月判臣 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | G03F1/24 | 分类号: | G03F1/24;C23C14/35;C23C14/06;C23C14/58 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 陈冠钦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及反射型掩模坯料、其制造方法和反射型掩模。反射型掩模坯料,其是用于在使用EUV光作为曝光光的EUV光刻中使用的反射型掩模的材料,该反射型掩模坯料包括基板、在基板的一个主表面上形成并反射曝光光的多层反射膜、和在多层反射膜上形成并吸收曝光光的吸收体膜;吸收体膜是由第一层构成的单层、或由从基板侧开始的第一层和第二层构成的多层;第一层由钽和氮组成,并且含有55至70at%的钽和30至45at%的氮;第二层由钽和氮及40at%以下的氧组成。 | ||
搜索关键词: | 反射 型掩模 坯料 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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