[发明专利]硅晶片及其制造方法在审
| 申请号： | 202110382386.7 | 申请日： | 2021-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN113517191A | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 鸟越和尚;小野敏昭;川口隼矢 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/322 | 分类号： | H01L21/322;H01L21/06;C30B29/06;C30B33/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 姜凝;司昆明 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及硅晶片及其制造方法。具有氧沉淀层的硅晶片和制造硅晶片的方法，其中晶片呈现的稳健性的特征在于具有在0.74至1.02之间的由第一处理产生的氧沉淀的第一平均密度与由第二处理产生的第二平均密度之比，其中第一处理包括在大约1150℃下加热晶片或晶片的一部分达大约2分钟且之后在大约950至1000℃之间加热晶片或晶片的一部分达大约16小时，并且第二处理包括在大约780℃下加热晶片或晶片的一部分达大约3小时且之后在大约950至1000℃之间加热晶片或晶片的一部分达大约16小时。晶片呈现迄今无法达到的均匀性，其中从晶片的BMD层中的任意一立方厘米确定的氧沉淀密度与从晶片的BMD层中的任意另一立方厘米确定的另一氧沉淀密度之比在0.77至1.30的范围中。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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