[发明专利]一种高孔隙率高强度低导热率多孔SiC陶瓷及其制备方法在审
| 申请号： | 202110382469.6 | 申请日： | 2021-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN113185312A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 李福平;赵琳娜;赵康;党薇;汤玉斐;孟庆男;焦华 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | C04B35/80 | 分类号： | C04B35/80;C04B35/565;C04B38/06 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 杨洲 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高孔隙率高强度低导热率多孔SiC陶瓷及其制备方法，该制备方法包括球磨碳纤维，预制碳纤维，配制先驱体浆料，然后经过加热搅拌、冷冻、真空冷冻干燥，热氧化固化，最后经过热解、脱碳处理得到高孔隙率高强度低导热率多孔SiC陶瓷。该制备方法通过引入中空多孔SiC纤维做为孔壁单元，在保证多孔功能性和不降低多孔SiC孔隙率的前提下，提高多孔材料的抗压强度，解决了目前多孔SiC陶瓷在高孔隙率下压缩性能较低的缺点，并在一定程度上降低其热导率，制备得到的多孔SiC陶瓷在航空航天隔热材料领域具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 孔隙率 强度 导热 多孔 sic 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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