[发明专利]导电结构电性缺陷分析方法、电性参数分析方法及系统有效
| 申请号： | 202110383142.0 | 申请日： | 2021-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN113109647B | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 金若兰;洪玟基 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/00 | 分类号： | G01R31/00;G01R27/02;G01R27/26 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 王辉;阚梓瑄 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供一种导电结构电性参数分析方法、导电结构电性缺陷分析方法及导电结构电性参数分析系统，涉及半导体技术领域。该分析方法包括：根据预设的图形化工艺步骤形成间隔排布的线形导电结构，导电结构由多个线形前序图形结构形成，各前序图形结构分别对应不同的图形化工艺；获取任一前序图形结构的图案化参数；根据图案化参数计算导电结构的电阻变化值及电容变化值；根据电阻变化值和电容变化值计算前序图形结构的图案化参数对导电结构的导电速率变化值。本公开的分析方法可为后续进行工艺改进提供数据支持。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 结构 缺陷 分析 方法 参数 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110383142.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
