[发明专利]一种P型双面PERC太阳电池及其制备方法和应用在审
申请号: | 202110383232.X | 申请日: | 2021-04-09 |
公开(公告)号: | CN113113510A | 公开(公告)日: | 2021-07-13 |
发明(设计)人: | 王岚;陈明;李忠涌;李书森;王璞 | 申请(专利权)人: | 通威太阳能(成都)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/068;H01L31/0224;H01L31/0216 |
代理公司: | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人: | 黄蓉蓉 |
地址: | 610213 四川省成都市双流*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种P型双面PERC太阳电池及其制备方法和应用,方法包括如:去损‑背面硼扩散‑背面沉积保护膜‑正面制绒‑去除背面保护膜‑双面沉积超薄氧化硅层‑正面沉积多晶硅层‑高温磷扩散掺杂硅片正面的多晶硅层‑正面沉积氮化硅减反射层‑背面沉积氧化铝层和氮化硅薄膜层‑丝网印刷银浆并烧结。本发明先多晶硅沉积,然后高温磷扩散扩散注入,这样既可以将N型掺杂多晶硅与衬底P型硅形成PN结,还可以对正面硅进行全区域钝化,有效降低载流子复合,提高开路电压和短路电流,从而提升太阳电池的转换效率;同时,通过引入钝化接触多晶硅薄膜不仅可以实现PN发射结、很好地对正面进行钝化,同时还可以将硅片与金属银浆烧结形成很好的欧姆接触。 | ||
搜索关键词: | 一种 双面 perc 太阳电池 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的