[发明专利]一种3D NAND存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 202110383312.5 | 申请日： | 2020-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN113178454B | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 孙中旺;夏志良;王迪;周文犀 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B43/35 | 分类号： | H10B43/35;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 高园园 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种3D NAND存储器及其制造方法，该方法在衬底上形成包括底部牺牲层及形成在底部牺牲层上方的交替层叠的牺牲层和绝缘层的堆叠结构，将底部牺牲层替换为源极层，并对所述源极层进行氧化处理，在源极层的表面形成第一隔离层，实现背部选择栅氧化物的功能。该方法有利于控制第一隔离层的厚度，提高第一隔离层的均匀性，从而有利于源极层的均匀反型，在存储器的读写操作中保证电子的沟道。解决了由于背部选择栅氧化物层的厚度问题带来的源极层的厚度及均匀性问题，可以实现P型阱的连续和擦除过程中空穴的补给。源极层同时在堆叠方向上形成在沟道结构中，增加了源极层与沟道层的接触面积，增强源极层与沟道层的电性连接。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nand 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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