[发明专利]3D存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202110386550.1 | 申请日： | 2021-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN113192966B | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 杨永刚 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;杨思雨 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法，该制造方法包括：在衬底上形成叠层结构，包括交替堆叠的层间牺牲层与介质层；在叠层结构表面形成掩模层；基于掩模层刻蚀叠层结构以形成多个台阶，至少层间牺牲层的侧壁被暴露；在牺牲层的侧壁形成隔离部，隔离部与介质层将层间牺牲层包围；以及采用刻蚀剂去除掩模层。该制造方法通过利用隔离部与介质层构成包围层间牺牲层，从而达到了在去除掩模层的过程中，保护层间牺牲层的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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