[发明专利]一种利用电场修复硅基晶格缺陷的建模方法在审
| 申请号： | 202110388548.8 | 申请日： | 2021-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN113033058A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 虞晓韩;黄日鹏;朱伟华;吴正扬;李子烨;张俐楠 | 申请（专利权）人： | 浙江工商大学 |
| 主分类号： | G06F30/23 | 分类号： | G06F30/23 |
| 代理公司： | 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人： | 周希良 |
| 地址： | 310012 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明属于微纳米制造技术领域，具体涉及一种利用电场修复硅基晶格缺陷的建模方法，包括如下步骤：步骤一：定义模型变量c；步骤二：建立相场总自由能模型，所述相场为电场；步骤三：改变模型中的电势参数，求解硅原子的控制方程并进行仿真。在实际成形过程中，硅基晶格在温度场作用下成形时会表面缺陷，对硅基晶格品质产生影响。鉴于此现状，本发明提出利用电场作用来修复硅基晶格缺陷。本发明基于电场对硅原子的作用机理，建立含有静电能的总自由能方程，简化求解方程并得到变量值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 电场 修复 晶格 缺陷 建模 方法 | ||
【主权项】：
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