[发明专利]一种结构梯度变化的钙钛矿材料的制备方法及其应用在审
| 申请号： | 202110388813.2 | 申请日： | 2021-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN113346023A | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 陈宇;姜浩天;钟海政 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学 |
| 主分类号： | H01L51/46 | 分类号： | H01L51/46;H01L51/42;H01L27/30;H01L31/032;H01L31/042;H01L27/144;C07C209/68;C07C211/04;C30B29/54;C30B29/12;C30B31/04 |
| 代理公司： | 北京元周律知识产权代理有限公司 11540 | 代理人： | 杨晓云 |
| 地址： | 100081 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种结构梯度变化的钙钛矿材料的制备方法及其应用，所述方法包括：将含有钙钛矿化合物和卤代烃的物料，离子交换和/或空位缺陷钝化，得到所述结构梯度变化的钙钛矿材料；所述钙钛矿化合物为钙钛矿多晶薄膜和/或钙钛矿单晶块体；所述离子交换的条件为：温度为80～140℃；时间为2～20h。本发明制备的钙钛矿材料具有低的缺陷态浓度和连续调制的半导体性能，在光电探测、传感成像、发光显示等半导体光电领域具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 梯度 变化 钙钛矿 材料 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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