[发明专利]一种镧锶锰氧薄膜制备方法有效
| 申请号： | 202110389349.9 | 申请日： | 2021-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN113106398B | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 王学锋;袁霄;陈勇达;刘汝新;张荣 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C23C14/28 | 分类号： | C23C14/28;C23C14/08;C23C14/58 |
| 代理公司： | 南京鑫之航知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32410 | 代理人： | 姚兰兰 |
| 地址： | 210046 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种镧锶锰氧薄膜制备方法，方法在脉冲激光沉积系统真空腔室内一定的温度与压力条件下，将处理好的基片利用脉冲激光沉积系统首先进行铝酸锶薄膜的沉积，对基片进行原位退火后，采用同样的方式在基片上进行镧锶锰氧薄膜的沉积，之后再进行原位退火，制备过程通过脉冲激光沉积系统进行原位监控。本发明在铝酸锶薄膜制备过程中采用了铝酸锶作为缓冲层，能够在较薄的厚度快速释放应力，所制备的镧锶锰氧薄膜具有良好的铁磁金属特性，满足自旋电子器件的要求，方法有效解决了现有技术中镧锶锰氧薄膜制备时在大晶格不匹配基片上死层较厚的问题，能够进一步推广应用于其它类型薄膜的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 镧锶锰氧 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京大学，未经南京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110389349.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
