[发明专利]一种孔缝端口的电磁环境适应性边界场景快速推演方法有效

专利信息
申请号: 202110389635.5 申请日: 2021-04-12
公开(公告)号: CN113092916B 公开(公告)日: 2021-10-01
发明(设计)人: 李尧尧;蔡少雄;胡蓉;曹成;苏东林 申请(专利权)人: 北京航空航天大学
主分类号: G01R31/00 分类号: G01R31/00
代理公司: 成都巾帼知识产权代理有限公司 51260 代理人: 邢伟
地址: 100000*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种孔缝端口的电磁环境适应性边界场景快速推演方法,包括以下步骤:S1:开展电子设备电磁敏感试验,找到其电磁环境适应性边界;S2:建立孔缝端口电磁特性参数集;S3:建立电子设备工作场景电磁环境指标参数集;S4:建立电子设备工作场景电磁信号传播模型;S5:根据边界测试结果,结合孔缝端口响应等效,对试验边界对应的工作场景进行快速推演。本发明不需要对电子设备实际工作场景完全进行遍历模拟就可以得到不同工作场景下的电磁环境适应性,提高电子设备电磁环境适应性评估全面性和可信度。
搜索关键词: 一种 端口 电磁 环境 适应性 边界 场景 快速 推演 方法
【主权项】:
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