[发明专利]高性能图像传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 202110389664.1 | 申请日： | 2021-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN113113438A | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 王箐;旷章曲;陈多金;孙伟;田晓川;龚雨琛;伍建华;刘志碧;陈杰 | 申请（专利权）人： | 上海韦尔半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 郑立明;赵镇勇 |
| 地址： | 201210 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高性能图像传感器及其制备方法，像素结构使用沟槽式通孔连接上、下两层金属，该沟槽式通孔与上层金属形成与像素大小相同的网格，作为金属遮蔽结构。在下层金属制程之后，沉积一层SiN衬底，作为像素区的沟槽式通孔和逻辑区的金属孔的终止层；在孔刻蚀制程过程最后增加一步对SiN具有高选择比的蚀刻工艺，使沟槽式通孔和金属孔既与下层金属链接，又停留在介质氧化层上，形成金属遮蔽；之后，在沟槽式通孔上溅射上层金属，并通过光刻形成相同宽度的金属遮蔽结构。可以减小在进行光通道蚀刻过程中等离子体对硅表面的损伤，减小暗电流和噪声。同时，金属遮蔽结构可以将斜入射光折射到像素单元表面，减小串扰。 | ||
| 搜索关键词： | 性能 图像传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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