[发明专利]确定单晶炉引晶温度的方法及直拉法制备单晶硅的方法在审
| 申请号： | 202110390415.4 | 申请日： | 2021-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN113282878A | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 魏星;刘文凯;薛忠营 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G06F17/14 | 分类号： | G06F17/14;C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京磐华捷成知识产权代理有限公司 11851 | 代理人： | 谢栒 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种确定单晶炉引晶温度的方法及直拉法制备单晶硅的方法。所述方法包括：引晶前测量所述单晶炉内用于引晶的熔体的温度，并得到温度‑时间曲线；对所述温度‑时间曲线进行傅里叶分析，得到频率‑振幅曲线；根据所述温度‑时间曲线判断熔体温度无剧烈变化之后，再以引晶温度稳定的频率‑振幅曲线作为标准参考曲线，将得到的所述频率‑振幅曲线与标准参考曲线进行比较，以判断引晶温度是否稳定。本申请所述方法通过傅里叶分析辅助及时间‑温度曲线，提高了引晶温度稳定性判断的准确率，降低了因误判引晶温度而导致的断线率。 | ||
| 搜索关键词： | 确定 单晶炉引晶 温度 方法 法制 单晶硅 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海新昇半导体科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所，未经上海新昇半导体科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110390415.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
