[发明专利]伪静态随机存储器PSRAM验证装置及其方法在审
| 申请号： | 202110390584.8 | 申请日： | 2021-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN113113074A | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 王储;邢俊丰;钱永学;韩青双;马荣荣;孟浩;蔡光杰;黄鑫 | 申请（专利权）人： | 广州昂瑞微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/12 | 分类号： | G11C29/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 梁栋国 |
| 地址： | 510670 广东省广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种伪静态随机存储器PSRAM验证装置及其方法，所述装置包括：第一接口单元，用于连接先进高性能总线AHB代理单元和被测设备DUT；第二接口单元，用于连接伪静态随机存储器PSRAM代理单元和被测设备DUT；先进高性能总线AHB代理单元，用于按照AHB总线的协议产生激励并且将所产生的激励发送给被测设备DUT，以及将采集的相关第一接口数据发送到计分板单元；伪静态随机存储器PSRAM代理单元，用于模仿伪静态随机存储器PSRAM的行为，按照PSRAM协议与接口单元交互，并且将采集的相关第二接口数据发送到计分板单元；以及计分板单元，用来对接收的信号进行采样，并判断采样的信号是否与预期的配置一致。 | ||
| 搜索关键词： | 静态 随机 存储器 psram 验证 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
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