[发明专利]一种热致延迟荧光半导体及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202110393068.0 | 申请日： | 2021-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN113336660A | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 傅妮娜;李学伟;汪联辉;田梦;李海洋 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | C07C225/22 | 分类号： | C07C225/22;C07C255/42;C07C255/58;C07D221/18;C07D307/91;C09K11/06;H01L51/54;H01L51/50 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 范丹丹 |
| 地址： | 210000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种热致延迟荧光半导体及其制备方法和应用，该热致延迟荧光材料以含吸电子基的稠环芳烃为分子母核，构建一种新的有机电致发光材料，材料分子具有高的三线态能级、高的PLQY和高的玻璃态转变温度。该热致延迟荧光材料作为发光层发光材料时，由于其三线态能级高，能够促进主体材料向客体材料有效的能量传递，减少能量回传，提高OLED器件的发光效率。该热致延迟荧光材料的HOMO能级高，与空穴注入层、空穴传输层的费米能级匹配性提升，进而使材料分子的空穴注入性能得到提升，同时，分子本身具有的平面刚性骨架有利于电荷传输，能非常高效的降低相关电致发光器件的启亮电压，保持高电流密度下的电流效率等优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 延迟 荧光 半导体 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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