[发明专利]一种提高碳化硅晶体质量的方法有效
| 申请号： | 202110393802.3 | 申请日： | 2021-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN113089087B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 哈尔滨市文洋专利代理事务所(普通合伙) 23210 | 代理人： | 王艳萍 |
| 地址： | 150000 黑龙江省哈尔滨市松北区智谷二街3*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种提高碳化硅晶体质量的方法，本发明涉及碳化硅晶体的生长方法。本发明是要解决现有的物理气相传输法生长碳化硅单晶的良品率低的技术问题。本方法是：一、在用于生长碳化硅晶体的石墨坩埚中，由下至上装填三层材料，其中：底层为碳化硅粉末层；中间层的中心部分为大孔多孔石墨，中间层的外围部分为小孔多孔石墨；上层的中心部分为大粒碳化硅多晶，上层的外围部分为小粒碳化硅多晶；二、将碳化硅籽晶固定在上盖的内下方，密封坩埚；三、加热，进行晶体生长，得到碳化硅晶体。采用本发明的方法生长出的碳化硅晶体的良品率达到50％以上，是现有的普通装料法技术的2～3倍。本发明可用于碳化硅晶体生长领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 碳化硅 晶体 质量 方法 | ||
【主权项】：
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