[发明专利]一种集成沟道二极管的碳化硅鳍状栅MOSFET有效
| 申请号： | 202110393954.3 | 申请日： | 2021-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN113130627B | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 罗小蓉;姜钦峰;黄俊岳;宋旭;苏伟 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78;H01L29/861;H01L27/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种集成沟道二极管的碳化硅鳍状栅MOSFET。本发明的主要特征在于：具有沟槽结构，且在沟槽区底部集成了沟道二极管，当器件处于反向续流工作模式时，沟道二极管导通实现续流功能，降低了反向导通压降并有效抑制体二极管的导通，消除双极退化带来的影响；采用鳍状栅结构，保证沟槽下方P区域良好接地，使沟槽底部氧化层的峰值电场低于临界击穿值，提高器件在阻断工作模式下的可靠性；位于沟槽内的两个对称鳍状栅，以及位于鳍状栅下方的沟槽底部第三导电材料，构成复合分离栅结构，降低栅漏电容，减少开关损耗，使器件在高频应用中更具优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 沟道 二极管 碳化硅 鳍状栅 mosfet | ||
【主权项】：
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